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900 V分立無定形碳硅MOSFET CREE

正式發布時間間隔：2024-12-17 11:21:28     瀏覽器：672

CREE擴大了其在無定形碳硅（SiC）系統中的主導型整體素質，低電感分立封口配備寬沿面和漏極與源極之中的洞眼路程（~8mm）。900 V分立氧化硅MOSFET機靈巧用最近的MOSFET單片機芯片中頻性，且可以提供采用于高生態破壞場景的差額電力工程防護。單獨的開爾文源管腳避免了工作效率電感；若想啟閉材料耗費避免了30%。開發師是可憑借從硅基駐車制動硅基來降低了器材數；憑借加劇旋鈕使用性能，是可憑借三電平拓補準改成更加高效的兩電平拓補。

優點

在局部工作中溫度規模內，最低的相電壓是900V Vbr

帶能夠源的低抗阻裝封

高恰恰能阻隔電阻，低RDS（進入設置）

低返向完全恢復（Qrr）的極有效率本征場效應管

有助于串連，食用單純

MOSFET.png

的優勢

完成才能減少觸點開關和傳遞數據材料耗費完善模式能力

推動高開關按鈕規律反控

從而提高軟件級輸出高密度

降設計大小；總重量；和冷凝需求分析

發動新的硬開關按鈕拓撲結構（Totem Pole PFC）

類型用途

三相異步電機把控好裝置

新資源充點樁系統

應急指揮主機電源（UPS）

動力電池測試儀系統

新清潔能源電動伸縮車快速的充能系統

車載導航專研器

傳動鏈裝制

手工焊接技術

山東市立維創展科技現有單位現有單位授權使用供應商CREE紅外光元器，要是可以購CREE的產品，請打開網頁一側克服去聯系大家！！！

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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