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在內部，集成電路芯片與海外技術對比相對的落敗。只能根據內部在此之前的年度計劃，19年自給率將符合40%，2025年達成70%。

我們都明白，薯條的獨一原科預期上是砂石，以雷軍剛剛有句話，薯條四五年左右完會以砂石的價錢與銷售。

碎石子如何會變身成為勾玉？主耍加工過程和的技術瓶頸問題是這些？

第二步是砂凈化水。我們的看出心片營造所需要的的硅飽和度為99.999999%，9-9%。途經提練，那些錠被拉孩子成長而圓的單晶硅硅硅棒。砂變成了單晶硅硅硅棒后，下一點是將其弄成寬度超過0.8mm的8厘米或12英尺硅片，第二打磨細有光澤度的，任何第一次激光加工一般成功。

下列加工制作工藝 差不多上是把小石子成為碎料的階段。正確的集成塊造成剛剛有開使，下三步即是集成塊造成的開使。

此類組織切片增加光澤的硅片第一在現代化的鍛爐中鍛造。表層應當達成平滑的陽極氧化膜，再在處理后的硅片上涂上光刻膠。

下一部是光刻加工過程。所設計制作的三極管在紅外光譜線和掩模刻在硅片上。蝕刻后的硅片經歷過刻蝕機后，未受光刻膠保護措施的區域腐化，暴露硅襯底，組成三極管外在。

別總以為如何電路設計成型法了，清理集成ic馬上會被制做出現。有幾種具體步驟。應先，正亞鐵離子侵入，第三熱清理將相對穩定一些正亞鐵離子，出現所說的十余億晶胞管，分為清理集成ic。

下幾步是鍍銅，在晶圓表皮導致一二層銅。鍍銅后，必須要歷經磨研、光刻、蝕刻等施工工藝，才可以將上的一二層銅割切成小條細線，并接結晶管。

而方面這種方式會一直不斷的的致使反復，正因為一方面心片，不只那層電源電路原理，有數量層電源電路原理，這種方式總要一直數量遍，最高的行實現20多遍。

大多上集成電路電源芯片的制作業的過程 就這類已成功了，現在來這類的硅晶圓要封禁裝了，也算得最后一步一些方法了，一開始鋸開排成塊一頭的，再能夠裝個底坐、散熱管片、良好的密封性在此之后，一頭塊集成電路電源芯片就這類是已成功了。

任何說一粒石子要制做存儲集成ic，其實不容許易，經的工作步驟至關多，看起來十分簡單化，故而至關十分簡單化，任何像雷軍說的存儲集成ic轉變成石子價，預估或許也就是有機會的，你感到呢？

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