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微波加熱元器件封裝
AM010MH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系列產品的一款分。HiFET是一種種個部分連接的專利申請裝置硬件配置，使用直流電、大工率、高平滑和寬帶網絡用。該元器件的總裝置外層為4公分。AM010MH4-BI-R專為高電率紅外光廣泛應用而設計制作，做工作頻次達到了3GHz。BI一系列選取特殊性定制的陶瓷制品打包封裝，微彎或挺直的引線和蝶閥法蘭部選取放進去式裝方法。包裝機側面的蝶閥法蘭部此外身為整流的接地裝置、微波射頻的接地裝置和熱的通道。各種HiFET具有RoHS要求。
表現
28V漏極偏壓
聯通寬帶位置相匹配：DC–2.4GHz
高達hg3 GHz的高頻率的操作
高增益控制：G=19dB@2.0GHz
高馬力：P1dB=31dBm@2.0GHz
高平滑：IP3=46dBm@2.0GHz
可以有效散熱管的淘瓷包裝盒
應用領域
寬帶網app
各類高壓20至28V
有線本地人環鐵路網絡
PC移動基站
WLAN、中繼器和超網段
C光波VSAT
中國航空電子為了滿足電子時代發展的需求，網絡通訊