AM005WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系例的有位置。HiFET是APP于超高壓、大輸出和網絡帶寬APP的要素一致元電子器件封裝調試。該要素的總元電子器件封裝周圍為1公分(三個0.5分米并接場滯后效應氯化鈉晶體管)。AM005WH2-BI-R專為高額定功率紅外光APP而結構設計,工作中次數多達12GHz。它也是更多電功率生產設備的期望能夠步驟。BI品類利用特有構思的瓷磚封裝形式,利用置于式的安裝途徑,帶異耐折(BI-G)或直(BI)絞線。二極管封裝頂端的活套法蘭同一重復使用交流電等電位連接、頻射等電位連接和熱清算通道。此組成部分按照RoHS。
表現形式
可高達12GHz的高頻運作
高增加收益和高電機功率,P1dB=26 dBm@3.5 GHz
表面上貼裝
有郊風扇散熱的框架
應運
無線網地方環公路網絡
蜂窩有線電通訊
WLAN、中繼器和超無線局域網
Ck線VSAT
統計
中文名字
微波加熱元集成電路芯片