AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系例的一這部分分。HiFET不是種部位適合的專利局的機硬件配置,用在各類高壓、大公率和光纖寬帶用途。該部位的總的機外圍網為4直徑(兩人2豪米FET串接)。AM020WH2-BI-R專為高公率徽波軟件應用而設計,工作任務工作頻率大約12GHz。它也是更重電機功率設備的非常完美驅動安裝方式。BI系選取特殊化方案的衛浴陶瓷封裝形式,選取放到式安裝使用方式英文,可能含有打彎(BI-G)或直(BI)電纜。二極管封裝低部的法蘭片一同當做直流電壓等電位連接、微波射頻等電位連接和熱渠道。此位置復合RoHS。
共同點
自由高達12GHz的中頻操作的
高收獲和高耗油率,P1dB=33 dBm@4 GHz
表層貼裝
有用熱管散熱的低層
采用
有線本市環公路網絡
蜂窩wifi手機電網絡通訊
WLAN、中繼器和超網段
C股票波段VSAT
統計
漢語
微波通信元集成電路芯片