CMD253C3就是款高IP3雙均衡性混頻器,進行無鉛外表貼裝二極管封裝,需用于6至14 GHz相互間的左右側轉成廣泛應用。伴隨提高了balun構成,CMD253C3對rf射頻和中頻端口處都極具很高的隔離開度,并也可以在低至+15dBm的低驅動程序電平下工作上。CMD253C3應該很更容易地增加為帶外表混頻器和瓦數配資器的圖象克制混頻器或單側帶調試器。
癥狀
低轉為耗用
高IP3
高分隔度
寬中頻帶寬度寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝形式
頻繁 LO / RF(GHz):6-14
平率IF(GHz):DC - 5
增加收益(dB):-6
LO-RF要進行隔離(dB):43
LO-IF分隔(dB):39
復制粘貼IP3(dBm):23
包:3x3 mm QFN
CMD253C3就是款高IP3雙均衡性混頻器,進行無鉛外表貼裝二極管封裝,需用于6至14 GHz相互間的左右側轉成廣泛應用。伴隨提高了balun構成,CMD253C3對rf射頻和中頻端口處都極具很高的隔離開度,并也可以在低至+15dBm的低驅動程序電平下工作上。CMD253C3應該很更容易地增加為帶外表混頻器和瓦數配資器的圖象克制混頻器或單側帶調試器。
癥狀
低轉為耗用
高IP3
高分隔度
寬中頻帶寬度寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT封裝形式