CMD254C3不是款高IP3雙發展混頻器,進行無鉛表皮貼裝封口,可作于11至20 GHz的上下左右轉成用途。是由于優化網絡了balun結構設計,CMD254C3對rf射頻和中頻網絡端口都具很高的隔離開度,且行在低至+15dBm的低驅動程序電平下上班。CMD254C3是可以很便捷地調試成帶內部混頻器和效率分配權器的圖案抑止混頻器或一側帶調變器
結構特征
低轉成衰減
高IP3
高隔開度
寬中頻寬寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT芯片封裝
頻次LO / RF(GHz):11-21
率IF(GHz):DC - 6
增加收益(dB):-6
LO-RF隔絕(dB):48
LO-IF隔絕(dB):44
輸人IP3(dBm):22
包:3x3 mm QFN
CMD254C3不是款高IP3雙發展混頻器,進行無鉛表皮貼裝封口,可作于11至20 GHz的上下左右轉成用途。是由于優化網絡了balun結構設計,CMD254C3對rf射頻和中頻網絡端口都具很高的隔離開度,且行在低至+15dBm的低驅動程序電平下上班。CMD254C3是可以很便捷地調試成帶內部混頻器和效率分配權器的圖案抑止混頻器或一側帶調變器
結構特征
低轉成衰減
高IP3
高隔開度
寬中頻寬寬
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT芯片封裝