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芯片衰減器

主要參數值

心片衰減器,極高250瓦，極高18 GHz，規定衰減器在全部的溫暖下勻稱等地影響RF電機功率，而溫暖可變氣門正時電源處理器設計方案為在高溫環境下減短其衰減，以出具移動信號調平利用所須的最合適的死機。塊狀衰減器適用于放小器線路，傳輸器，上/下轉為器，相位連接陣列和控制開關利用。會按照所須的規格尺寸，還可以在具有薄或厚電阻功率的BeO，氮化鋁或陽極氧化鋁粉衛浴陶瓷上制做電源處理器。

品牌：MACOM

貨品商品詳情解釋

單片機芯片衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040