M/A-COM的MA4M系列作品MNS(金屬件制氮化物硅)硅片電阻器專為徽波電路系統選用中的高是真的嗎性和可重覆性能方面而設置。這么多電阻器是用高壓低壓物理化學氣質聯用基性巖(LPCVD)創造的,此類基性巖需要成型高密度、光滑的氮化物層。這么多電阻器比如此的MOS、MIS和淘瓷電阻器表現出更高些的單位名稱規模電阻(產生電源心片外形尺寸更小)。蒸餾金觸點開關用在在電阻器電源心片上出示適于粘結的金屬件制墊。M/A-COM MNS電阻器在150℃的特殊直流電壓下并沒有界面顯示出可檢測的的電阻變現。
MA4M3010 MNS微波通信存儲芯片電阻器濾波電容(PF):10隔開工作電壓(V):200處理芯片圖樣:350
M/A-COM的MA4M系列作品MNS(金屬件制氮化物硅)硅片電阻器專為徽波電路系統選用中的高是真的嗎性和可重覆性能方面而設置。這么多電阻器是用高壓低壓物理化學氣質聯用基性巖(LPCVD)創造的,此類基性巖需要成型高密度、光滑的氮化物層。這么多電阻器比如此的MOS、MIS和淘瓷電阻器表現出更高些的單位名稱規模電阻(產生電源心片外形尺寸更小)。蒸餾金觸點開關用在在電阻器電源心片上出示適于粘結的金屬件制墊。M/A-COM MNS電阻器在150℃的特殊直流電壓下并沒有界面顯示出可檢測的的電阻變現。