硅基氮化鎵寬帶晶體管,DC-6 GHz,5W,28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW,脈沖和線性操作而設計,采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,輸出功率水平高達5W(37 dBm)。在低于3GHz的頻率下,NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的帶寬運營
- NPTB00004的代用品越來越低
- 泄水速度高(> 55%)
- 行業內要求塑膠板材內包裝
- 28V運行
應用領域
- 航班航天部與國家安全
- 光纖寬帶萬能
- 防御電力
- 現實主義
- VHF / UHF / L中波段預警雷達
- 無線數字根本體系
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微波通信元元器