CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路選取規范的pHEMT生產技術創造:柵極高度0.25μm,能夠 基材的通孔,氣流橋和電商束柵神行者刻。
CHA3666-99F 放大器– LNA
頻射下行帶寬(GHZ): 6 - 17增益控制(dB):21增加收益同軸度(dB):0.5嘈音彈性系數(dB):1.8P-1dB效果(dBm):17訂購交貨時間:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路選取規范的pHEMT生產技術創造:柵極高度0.25μm,能夠 基材的通孔,氣流橋和電商束柵神行者刻。