CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理使用pHEMT技藝研制:柵長0.25μm,按照的基板的通孔,氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵光刻。
它以電子器件行駛或封嚴無鉛陶瓷制品封裝形式能提供。
CHA2063a99F 放大器– LNA
頻射下行帶寬(GHZ): 7-13增益值(dB):19增益值同軸度(dB):2噪聲污染彈性系數(dB):2P-1dB輸出(dBm):8訂購交貨時間:3-4周CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路原理使用pHEMT技藝研制:柵長0.25μm,按照的基板的通孔,氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵光刻。
它以電子器件行駛或封嚴無鉛陶瓷制品封裝形式能提供。