CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路原理進行pHEMT的工藝造成,柵極大小為0.25μm,利用的基板的通孔,廢氣橋和自動化束柵流星刻技術造成。
它以完全符合RoHS的SMD封裝帶來了。
CHA3688aQDG 放大器– LNA
微波射頻下行帶寬(GHZ):12.5-30增加收益(dB):26增益值同軸度(dB):2燥聲指數(dB):2P-1dB輸出精度(dBm):14訂購交貨時間:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路原理進行pHEMT的工藝造成,柵極大小為0.25μm,利用的基板的通孔,廢氣橋和自動化束柵流星刻技術造成。
它以完全符合RoHS的SMD封裝帶來了。