CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路選擇基準的pHEMT工藝流程手工制造:柵極間距0.25μm,確認基材的通孔,自然空氣橋和電子技術束柵神行者刻。
它以處理芯片形態展示 。
CHA2069-99F 放大器– LNA
微波射頻資源帶寬(GHZ):16 - 31增益控制(dB):22增益值同軸度(dB):1噪聲源公式(dB):2.5P-1dB的輸出(dBm):10訂購交貨期:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源線路選擇基準的pHEMT工藝流程手工制造:柵極間距0.25μm,確認基材的通孔,自然空氣橋和電子技術束柵神行者刻。
它以處理芯片形態展示 。