CHA2069-FAB 不是個三價段的自偏置聯通寬帶片式低噪音污染放小器。
該電路設計運用原則的pHEMT方法創造:柵極厚度0.25μm,經由柔性板的通孔,廢氣橋和電子廠束柵極夜刻。
提案運用無鉛界面貼裝全封閉式型黑色金屬瓷器6x6mm2封裝。整體結構供電為4.5V / 55mA。
該電路系統專用工具于外太空APP,也無比符合各種各樣徽波和公分波APP和系統。
CHA2069-FAB 變大器– LNA微波射頻上行帶寬(GHZ):16 - 32增益值(dB):22增益控制同軸度(dB):1嘈音彈性系數(dB):2.5P-1dB效果(dBm):10定貨交貨期:3-4周
CHA2069-FAB 不是個三價段的自偏置聯通寬帶片式低噪音污染放小器。
該電路設計運用原則的pHEMT方法創造:柵極厚度0.25μm,經由柔性板的通孔,廢氣橋和電子廠束柵極夜刻。
提案運用無鉛界面貼裝全封閉式型黑色金屬瓷器6x6mm2封裝。整體結構供電為4.5V / 55mA。
該電路系統專用工具于外太空APP,也無比符合各種各樣徽波和公分波APP和系統。