所述CHA5266-FAB是在無引線表面層上的二級單面砷化鎵中公率增加器裝設密封帶黑色金屬衛浴陶瓷6x6mm2包。
它裝修設計用在從軍事到商用通信體統體統的具有廣泛性適用。
該控制電路用到pHEMT新工藝手工生產,柵極總長度為0.25μm,依據基材的通孔,大氣橋和電商束柵流星刻的技術手工生產。
它以按照RoHS的SMD封裝提供數據。
CHA5266-FAB 放大器– MPA
rf射頻上行速率(GHZ):10-16增加收益(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB輸入(dBm):26傳輸公率(dBm):27.5定貨貨期:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線表面層上的二級單面砷化鎵中公率增加器裝設密封帶黑色金屬衛浴陶瓷6x6mm2包。
它裝修設計用在從軍事到商用通信體統體統的具有廣泛性適用。
該控制電路用到pHEMT新工藝手工生產,柵極總長度為0.25μm,依據基材的通孔,大氣橋和電商束柵流星刻的技術手工生產。
它以按照RoHS的SMD封裝提供數據。