CHA5266-QDG是一款三級單片GaAs中功率放大器。
它設置適用于從專門到行業安全可靠系統的多操作。
該電路板使用pHEMT新工藝生產產生,柵極厚度為0.25μm,在的基板的通孔,大氣橋和光電子束柵星空刻科技生產產生。
它以具備RoHS的SMD封裝類型打造。
CHA5266-QDG 放大器– MPA
微波射頻上行寬帶(GHZ):10-16增益值(dB):23IP3(dBm):35P-1dB讀取(dBm):25.5輸出的電功率(dBm):27購貨交貨期:3-4周CHA5266-QDG是一款三級單片GaAs中功率放大器。
它設置適用于從專門到行業安全可靠系統的多操作。
該電路板使用pHEMT新工藝生產產生,柵極厚度為0.25μm,在的基板的通孔,大氣橋和光電子束柵星空刻科技生產產生。
它以具備RoHS的SMD封裝類型打造。