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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

至關重要技術參數

CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@的頻率（GHz）： 14 @ 6崗位速度（GHz）：至多6個飽合熱效率（W）： 20PAE（％）@率（GHz）： 60 @ 6定購交貨：3-4周

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CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該類產品為雷達探測和聯通寬帶網等幾種RF交流電源軟件應用提供了統一和寬帶網改善設計方案。

它是為SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技術性開發的，以及特別貼合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指命的明文規定。

它以裸集成線路芯片行式推出，還有就是需表面配對線路。