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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

必要參數值

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻上行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小訊號增加收益（dB）：20效率（W）：200相關聯增加收益（dB）： > 14P-1dB輸入輸出（dBm）：-PAE（％）： 52備貨交貨：3-4周

成品情況價紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

特別好脈沖發生器雷達天線選用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT藝上確立的。它特征提取準MMIC水平。

它選用封閉法蘭部陶瓷圖片金屬材質供電打包封裝，可提拱低生存和低熱擴散系數。