EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口:寬度為120μm,0.15μm。T形鉿合金閥門兼具低熱敏電阻和漂亮的可以信賴性。
該電子元器件提示 出極為高的跨導,可以產生極為高的概率和低環境噪聲性。
它以存儲芯片形態出具,含帶借助孔聯系的源極,僅需影響柵線和漏極線。
EC2612-99F 晶體管
rf射頻服務器帶寬(GHz): 交流電-40增益值(dB):9.5背景噪聲公式(dB):1.5定貨貨期:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口:寬度為120μm,0.15μm。T形鉿合金閥門兼具低熱敏電阻和漂亮的可以信賴性。
該電子元器件提示 出極為高的跨導,可以產生極為高的概率和低環境噪聲性。
它以存儲芯片形態出具,含帶借助孔聯系的源極,僅需影響柵線和漏極線。