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EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口長(chang)寬比為120μm，0.15微米(mi)換算(suan)。T形鋁合(he)金水(shui)利閘(zha)門兼具低內阻(zu)和非常出色的能信性。

該(gai)電子器件體現出(chu)愈(yu)來(lai)愈(yu)高(gao)的跨(kua)導，才能(neng)誘發愈(yu)來(lai)愈(yu)高(gao)的率(lv)和(he)低燥音特性。

它以電(dian)源芯片手(shou)段出示，暗含依據孔相連接的源極(ji)，僅(jin)需被限柵線和漏(lou)極(ji)線。