CGH09120F是一個種氮化鎵(GaN)高電子元器件轉至率單晶狀體管(HEMT),專為高質量率、高收獲和移動寬帶工作能力而設計制作,這能讓CGH09120F加入MC-GSM、WCDMA和LTE擴大器用途的滿意的選擇。單晶狀體管采用了瓷器/不銹鋼活套法蘭芯片封裝。
CGH09120F大工率帶寬氮化鎵HEMT效率120WDC-2.5GHz增加收益21dB速率35%@20W Pave外盤存儲