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AM025WN-BI-R就是一種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高寬比為2.5mm。它一個衛浴陶瓷封裝類型，操作率多達8千兆赫。BI產品用到特出設計方案的瓷質封裝形式，用到內嵌式安裝辦法，帶有屈曲（BI-G）或直（BI）輸電線。裝封邊側的活套法蘭直接可作整流的接地保護、頻射的接地保護和熱通暢。此部件具有RoHS。

表現

敢達8GHz的低頻操(cao)作方法

增益控(kong)制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏(lou)極=56%@3 GHz

漆層(ceng)貼裝

能夠散熱的低(di)層

使用

高(gao)動態信息接收入器

蜂(feng)窩移(yi)動基站天(tian)線

移動寬帶和窄帶圖像放大器電路

統計(ji)

測式檢測儀器

軍事化

打擾器