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徽波元元器
AM025WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總大小為2.5mm。它是一個個陶瓷廠家裝封，工作上的頻率多達8千兆赫。BI編利用唯一性設計方案的瓷質芯片封裝，利用添加式裝習慣，配有屈曲（BI-G）或直（BI）跨接保護線。裝封底層的法蘭盤直接用來作為交流電跨接保護、rf射頻跨接保護和熱入口。此部件非常符合RoHS。
共同點
達到8GHz的低頻操作使用
增益值=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
接觸面貼裝
更有效風扇散熱的表層
軟件應用
高動態圖片讀取器
蜂窩wifi通信基站
帶寬和窄帶放縮器
雷達探測
檢驗機器設備
軍事科學
不干擾器