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AM012WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總厚度為1.25毫米（mm）。它是在的瓷質雙包基本操作超過10千兆赫。BI系類適用唯一性設置的陶瓷圖片封口，適用嵌到式連接措施，可能含有曲折（BI-G）或直（BI）電纜線。封裝底下的卡箍時充當直流電壓等電位連接、rf射頻等電位連接和熱管道。此大部分符合要求RoHS。

特證

可以達(da)到10GHz的高頻率使(shi)用

增加(jia)收益=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

外(wai)觀貼裝

高效排熱的最底層

軟件

高動態圖片接(jie)受器

蜂窩手機無線(xian)基站(zhan)天(tian)線(xian)

移動寬帶和(he)窄帶擴(kuo)大器

預警雷達

自測醫(yi)療(liao)儀器

軍事科學

抑(yi)制器(qi)