AM012WN-BI-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總高寬比為1.25亳米。它是在同一個工業陶瓷雙包操作方法敢達10千兆赫。BI系列產品按照特異設計制作的陶瓷廠家裝封,按照添加式施工模式,帶有屈曲(BI-G)或直(BI)高壓導線。二極管封裝底層的法蘭部直接做為整流等電位連接系統、頻射等電位連接系統和熱安全通道。此個部分具備RoHS。
癥狀
達到10GHz的高頻率工作
收獲=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
面貼裝
合理有效水冷散熱的低層
用
高動態數據接收到器
蜂窩有線信號塔
網絡帶寬和窄帶變大器
雷達天線
檢測試驗設備器
軍事體育
電磁波輻射器
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微波通信元電子器件