AM005WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總:寬度為0.5mm。它有的是個瓷磚封裝,做工作平率高達12ghz。BI型號利用比較特殊制定的瓷器打包封裝,利用置于式按照策略,中含變形(BI-G)或直(BI)電纜。打包封裝低部的卡箍時候可作直流變壓器保護保護接地、微波射頻保護保護接地和熱通路。此部份符合標準RoHS。
特色
高達(da)模型(xing)12GHz的中頻運營
增(zeng)加(jia)收益=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏(lou)極=56%@3GHz
表明貼(tie)裝
很好的風扇散熱(re)的下(xia)層
軟件(jian)
高動向接收到器
蜂(feng)窩wlan基站天線
聯通(tong)寬帶(dai)和窄帶(dai)拖動器
統計
公測議(yi)器
中國軍事
抑(yi)制器
中文翻譯
微波射頻元電子器件