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便用具備單獨柵極偏置控住的并行傳輸硫化鋅管的GaN HEMT放縮器的線型提升

發部時間段(duan)：2018-05-04 13:53:07     搜索：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：的使用有著獨自柵極偏置管理的串聯晶狀體管的GaN HEMT調大器的規則化增強學習。 GaN HEMT擁有較高的讀取馬力容重和較寬的上行帶寬吸收率。可，GaN HEMT的非線型其最典型的地比GaAs元電子器件的非線型更差。這篇文指出一堆種容易的方案來提升 GaN HEMT的非線型度。所指出的方案是將元電子器件分為與自主控制的柵極偏置電阻值串連的幾個子機組，第二將馬力合并給子機組讀取。這個原型增加器..
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