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運用含有獨立空間柵極偏置把控的并行處理晶狀體管的GaN HEMT放小器的線性網絡增進

推出時長：2018-05-04 13:53:07     閱讀：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：動用極具自由柵極偏置調整的串并聯多晶體管的GaN HEMT增加器的曲線增加。 GaN HEMT兼有較高的打印傷害電率硬度和較寬的速率能力。僅是，GaN HEMT的平滑其最典型的地比GaAs器材的平滑更差。此文系統闡述好幾個種簡單的策略步驟來延長GaN HEMT的平滑度。所系統闡述的策略步驟是將器材切割成與經濟獨立操作的柵極偏置端電壓串聯的好幾個子單無，而后將電率合作為子單無打印傷害。辦演縮放器..
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