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CGHV1F025S是一(yi)款無(wu)與倫比的(de)(de)氮化鎵（GaN）高(gao)電子遷移率晶體管（HEMT），專為(wei)高(gao)效率，高(gao)增(zeng)益(yi)和(he)寬帶寬功能而(er)設(she)計。該器(qi)(qi)件(jian)可(ke)用于L，S，C，X和(he)Ku波段(duan)放大器(qi)(qi)應用。數據手冊規格基(ji)于X-Band（8.9 - 9.6-GHz）放大器(qi)(qi)。CGHV1F025S采(cai)用40伏軌道(dao)電路，采(cai)用3 mm x 4 mm表面貼裝(zhuang)雙(shuang)扁平(ping)無(wu)引線（DFN）封(feng)裝(zhuang)。在(zai)(zai)功耗(hao)降低(di)的(de)(de)情(qing)況下(xia)，晶體管可(ke)以在(zai)(zai)低(di)于40V的(de)(de)電壓下(xia)工作至(zhi)低(di)至(zhi)20V的(de)(de)VDD，從而(er)保持高(gao)增(zeng)益(yi)和(he)高(gao)效率。