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ADRF5130BCPZ是款高瓦數、反射面式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅控制旋鈕按鈕，分為無引腳、表貼芯片封裝。該控制旋鈕按鈕愈來愈合適高瓦數和蜂窩基本條件的設施選用，如長期性演變(LTE)移動信號塔。ADRF5130兼具43 dBm（典范值）高瓦數補救作用、0.6 dB低加入耗損率、68 dBm（典范值）輸出非線性度三階交調截點和46 dBm下的0.1 dB再壓縮點(P0.1dB)。片內電路板在5 V單正電源適配器額定電壓下工作上，典范偏置電壓為1 mA，使其為基本概念引腳整流二極管控制旋鈕按鈕的人生理想使用元器件。 該元器按照符合規格RoHS規格的緊身型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封口。

品牌	型號	貨期	庫存
ADI	ADRF5130BCPZ	1周	100

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ADRF5130BCPZ用

• 蜂窩/4G基礎設施
• 無線基礎設施
• 軍事和高可靠性應用
• 測試設備

• 引腳二極管替代器件

ADRF5130BCPZ優勢和特點

• 反射式50 ?設計
• 低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率處理
  • 連續平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高線性度
  • 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 輸出三階交調截點(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD額定值
  • 人體模型(HBM)：2 kV，2級
  • 充電器件模型(CDM)：待定
• 單正電源
  • VDD：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • VCTL： 0 V 或 5 V
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm2)

ADRF5130BCPZ結構圖

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