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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R都是個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5mm毫米。它都是個瓷質封口，高上班12千兆赫。Bi系列的運用特殊性設定的瓷質封口，攜帶彎度（Bi-G）或直（Bi）引線，運用放到式進行安裝行為。包邊側的活套法蘭一起充當整流與地面保護、rf射頻與地面保護和熱的通道。本位置具有RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
有郊排熱的底部

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
抑制機

示意圖