HMC435AMS8GE非反射性式DC-4GHz開關按鈕 ADI加盟外盤
發布的日期:2019-02-20 16:19:17 瀏覽網頁:1698
HMC435AMS8GE都是款非散射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT電源打開,用于高產出費用8引腳MSOP8G從表面貼裝封裝類型,暗含外露地線焊盤。 該電源打開十分適于蜂窩/3G和WiMAX/4G選用,改變更是高達60 dB的消毒、0.8 dB的低進到這一領域耗用和+50 dBm的手機輸入IP3。 在3.8 GHz WiMAX頻段,該電源打開含有很高的效率處理作用,另一方面作為+30 dBm的P1dB壓解特點。 片內電源線路可在很低的DC交流電下改變0/+5伏特的正電阻值調整。
品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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HMC435AMS8GE
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1周
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90
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HMC435AMS8GE運用
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基站和中繼器
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蜂窩/3G和WiMAX/4G
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基礎設施和接入點
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CATV/CMTS
HMC435AMS8GE優勢和特點
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高隔離度:
62 dB(1 GHz時)
52 dB(2 GHz時)
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正控制: 0/+5V
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輸入IP3: 54 dBm
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非反射式設計
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超小型MSOP-86封裝:
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14.8 mm2
HMC435AMS8GE示意圖
