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CGHV96050F2炭化硅高手機轉至率多晶體管 代理加盟外盤

上線用時：2019-02-22 10:22:17     瀏覽記錄：1762

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50歐姆，輸入/效果輸入GaN HEMT


Wolfspeed的CGHV96050F2是氧化硅（SiC）的基板上的氮化鎵（GaN）高電子轉至率納米線管（HEMT）。與相關技巧較之，本身GaN實物適應（IM）FET享有突出的輸出疊加率。與硅或砷化鎵好于，GaN具備著比較好的的性能，是指更大些的損壞電壓值，更大些的供大于求電子廠漂移極限速度和更大些的導電率。與GaAs納米線管相對，GaN HEMT還提拱大些的功效導熱系數和更寬的上行帶寬。該IM FET選用金屬材料/衛浴陶瓷法蘭盤芯片封裝，具絕佳的電器和熱性食物能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT典型性值


頂值輸出最大功率 50W
應運 L中股票中中股票波段/ S中股票中中股票波段/ X中股票中中股票波段/ C中股票中中股票波段/ Ku中股票中中股票波段
非常典型的工率追加生產率PAE 55％
先進典型電機功率（PSAT） 80瓦
電功率增益值 10噪音分貝
作業電流 40 V
頻率 7.9 - 9.6 GHz
包裝機內型 輪緣
內控配比 是 - 50Ω

示意圖

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