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上傳時間段:2019-02-25 11:07:25 搜(sou)索:1761
HMC903LP3E就(jiu)是款(kuan)自偏(pian)置(zhi)砷化鎵(jia)(GaAs)單面微波加熱集成(cheng)式電路系統(MMIC),假晶(pHEMT),低環(huan)境(jing)噪聲增加器(LNA),體現了適(shi)用影響IDQ的(de)(de)應用設置(zhi)偏(pian)置(zhi)管控(kong)。它所(suo)采用16引腳(jiao),3 mm×3 mm,LFCSP打(da)包封裝。HMC903LP3E變成(cheng)器工做規律范圍之內(nei)為6 GHz至17 GHz,在6 GHz至16 GHz頻(pin)段內(nei)提供了18.5 dB的(de)(de)小數據信號增加收益和1.7 dB低頻(pin)噪音常數,打(da)印輸出IP3為25 dBm全頻(pin)段6 GHz至17 GHz,的(de)(de)同時僅可以進行3.5 V主機電源供電公司(si)時為80 mA。
P1dB內(nei)(nei)(nei)容輸出電(dian)率為14.5 dBm,使(shi)(shi)LNA可以使(shi)(shi)用作(zuo)失(shi)衡,I / Q或鏡(jing)像(xiang)軟件(jian)促使(shi)(shi)混(hun)頻器(qi)的(de)當地(di)自由振蕩器(qi)(LO)驅(qu)動程序器(qi)。HMC903LP3E還具有(you)著電(dian)流傳導搜索和內(nei)(nei)(nei)容輸出,內(nei)(nei)(nei)部(bu)組(zu)織配備50Ω,是高存儲容量(liang)微波(bo)射頻遠程電(dian)和視(shi)頻定位(VSAT)應用領域的(de)佳的(de)選擇(ze)。
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品牌
型號
貨期
庫存
ADI
HMC903LP3E
1周
100
用
優勢和特征
在6 GHz至16 GHz時經典參考值14.5 dBm
示意圖
