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HMC524ALC3B是一款緊湊(cou)型(xing)GaAs MMIC I/Q混(hun)(hun)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)，采用(yong)符合RoHS標(biao)準的無(wu)引腳SMT陶(tao)瓷封裝。 該器(qi)(qi)(qi)件(jian)可(ke)用(yong)作鏡(jing)像抑制混(hun)(hun)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)或單(dan)(dan)邊帶上變(bian)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)。 該混(hun)(hun)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)采用(yong)兩個(ge)標(biao)準雙平衡混(hun)(hun)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)單(dan)(dan)元和一個(ge)90度混(hun)(hun)合器(qi)(qi)(qi)件(jian)，均采用(yong)GaAs MESFET工藝制造(zao)。 HMC524ALC3B低(di)頻(pin)(pin)正交混(hun)(hun)合器(qi)(qi)(qi)件(jian)用(yong)于產(chan)生100 MHz IF輸出。 該產(chan)品為混(hun)(hun)合型(xing)鏡(jing)像抑制混(hun)(hun)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)和單(dan)(dan)邊帶上變(bian)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)(qi)組件(jian)的小型(xing)替(ti)代(dai)器(qi)(qi)(qi)件(jian)。立維(wei)創展 ADI現貨(huo)HMC524ALC3B無(wu)需線焊，可(ke)以使用(yong)表貼制造(zao)技術。

HMC524ALC3B應用

• 點對點和點對多點無線電
• VSAT 
• 測試設備和傳感器

• 軍用最終用途

HMC524ALC3B優勢和特點

• 無源：無需直流偏置
• 轉換損耗： 9 dB
• 鏡像抑制： 20 dB（典型值）
• LO至RF隔離：35 dB（典型值）
• LO至IF隔離：25 dB（典型值）
• IP3：18 dBm（典型值）
• P1dB：17 dBm（典型值）
• 中頻引腳頻率：DC ? 4.5 GHz
• 12引腳、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封裝

HMC524ALC3B結構圖