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HMC219B也是款超長安大型統一雙動態平衡混頻器，運用8引腳超長安大型朔料表貼二極管封裝，帶露外焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單處理器微波射頻融合用電線路(MMIC)混頻器運用砷化鎵(GaAs)合金半導體材料場相應氯化鈉晶體管(MESFET)加工營造，無須外接電子電子元器件或配對用電線路。該電子元器件需用作率范疇為2.5 GHz至7.0 GHz的上交流三菱定頻器、下交流三菱定頻器、雙相調配器或相位相當器。 立維創展HMC219B主要包括經由優化方案的巴倫型式，具備出眾的的本振(LO)至rf射頻(RF)屏蔽及LO至中頻(IF)屏蔽耐熱性。不合適RoHS的標準的HMC219B不用辦理線焊，與高存儲量表貼研發技能兼容。MMIC耐熱性安全穩定可不斷提高系統上班轉化率并抓好不合適HiperLAN、U-NII和ISM法律規范的標準。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖