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HMC219B都是款超中家庭型互通雙靜態平衡混頻器，用于8引腳超中家庭型塑膠板材表貼封口，帶露外焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單處理器微波射頻模塊化控制控制電路(MMIC)混頻器用于砷化鎵(GaAs)黑色金屬半導體配件場邊際效應納米線管(MESFET)方法制造出，就不需要 外部pcb板或配對控制控制電路。該配件用于作率條件為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流變頻空調式器、下直流變頻空調式器、雙相幅度調制器或相位較器。 立維創展HMC219B主要采用路經優化方案的巴倫空間結構，提供數據出彩的本振(LO)至頻射(RF)消毒及LO至中頻(IF)消毒耐熱性。符合標準基準RoHS基準的HMC219B不需要線焊，與高存儲容量表貼加工先進制造技術設備兼容。MMIC耐熱性維持可提供整體辦公成功率并抓實符合標準基準HiperLAN、U-NII和ISM法律規定要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE軟件應用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖