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JP506S是一種種低剖面6dB定向培養交叉耦合器，選取也容易選擇的外表面使用包，蓋住WCDMA和其他的3G技術應用。JP506S十分滿足于中用額定功率添加的內聯提取/女子組合圖像公率放大器，快速可用于大多都數高公率定制。部件途經要從嚴的監定軟件測試，第一單元100%測驗。想一想是工具有x和y熱增加比率的文件研發的，這類文件與比如FR4、G-10和聚酰亞胺等常考基鋼板兼容。

JP506S結構特征：

?2.0-2.3GHz

?低衰減

?高導向性

?的表面貼裝

?磁帶和卷盤

?利于的封裝

?100%自測

?無鉛

JP506S主要技術指標

速率（GHZ）：2 - 2.3

公率（W）：20

進到這一領域耗損（dB）：0.3

回波耗損率（dB）：20.1

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