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發布了(le)時段:2018-07-17 15:20:07 搜索:2052
AlGaAs釋放(fang)性
MACOM的(de)(de)(de)MA4AGSW1A有的(de)(de)(de)是種(zhong)鋁鎵砷單極(ji)單擲(SPST)吸收的(de)(de)(de)作用(yong)式PIN電感打(da)開。該觸點開關(guan)進行(xing)增加型(xing)AlGaAs陽極(ji),進行(xing)MACOM專(zhuan)利系(xi)統(tong)的(de)(de)(de)異質結(jie)系(xi)統(tong)形成了。與采(cai)用(yong)傳統(tong)化GaAs工藝設(she)備生(sheng)產(chan)加工的(de)(de)(de)元(yuan)器相信(xin),AlGaAs能力(li)呈(cheng)現的(de)(de)(de)按鈕耗費更小。在50GHz時(shi),可不可以(yi)(yi)實行(xing)0.3dB的(de)(de)(de)讀取(qu)(qu)耗損(sun)率調(diao)低(di)。該元(yuan)件(jian)采(cai)取(qu)(qu)OMCVD外(wai)加晶圓制做,采(cai)取(qu)(qu)專(zhuan)為高元(yuan)件(jian)均性(xing)和太(tai)低(di)寄托在效用(yong)而設(she)置(zhi)的(de)(de)(de)技藝。IC芯(xin)片(pian)內(nei)的(de)(de)(de)PIN肖特基二極(ji)管更具低(di)電容器并聯內(nei)阻,低(di)電容器和迅速的(de)(de)(de)啟(qi)閉速率。因此完全性(xing)被氮化硅鈍化,并擁有另外(wai)的(de)(de)(de)締合物層使用(yong)劃痕(hen)修復保(bao)護區。防(fang)護納米涂層可以(yi)(yi)防(fang)止在辦理和制造二級管結(jie)以(yi)(yi)其陽極(ji)空(kong)氣當中橋時(shi)的(de)(de)(de)毀(hui)損(sun)。將都要(yao)片(pian)外(wai)偏置(zhi)電源線路。
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MACOM
MA4AGSW1A
鋁鎵砷單極單擲(SPST)吸收式PIN二極管開關
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300
MA4AGSW1A應用
MA4AGSW1A護(hu)膚(fu)品(pin)金橋銅業跨接線(xian)的截(jie)面積大小