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與硅相比較，Cypress 氮化鎵（GaN ）納(na)米線(xian)管(guan)必備(bei)條件普(pu)遍(bian)性的優勢(shi)。十(shi)分是與硅MOSFET相(xiang)信較，高(gao)臨界點電場強(qiang)度從而促(cu)使GaN -HEMT具有創新型的(de)gif動(dong)態(tai)導通阻值和較小的(de)電阻，格(ge)外適(shi)用于于速度(du)控制(zhi)開關軟件應用范疇。其次，Cypress 氮化鎵晶狀體管可能在減小過載保護事件的情況發生下行駛，以的增加的工作生產率并完整真實傷害冷去。在高電源開關速度下行駛可能抑制無源元器件的溶量，才能增加GaN  HEMT的人身安全可以信(xin)賴性(xing)和(he)總電功率溶(rong)解度。

Cypress GaN 工(gong)作功率晶狀體管(guan)最終要(yao)的(de)結(jie)構特征是其反方向復(fu)原機械(xie)性能。鑒(jian)于英飛凌的(de)Cool GaN ?結(jie)晶管不存在許多光(guang)電(dian)產品流和(he)體穩壓管，與此同(tong)時這(zhe)句話(hua)不可能凸顯反向的方(fang)式給回恢復過來(lai)。由于，能夠 使用(yong)圖騰圖片(pian)極PFC等硬電(dian)開關拓補來(lai)達(da)成(cheng)更快(kuai)的使用(yong)率，假如在數據顯示心(xin)中和(he)服務于器電(dian)源(yuan)模塊(kuai)中，故而不僅(jin)節能減排資源(yuan)并(bing)大(da)大(da)減少合作經營直接費用(yong)。

英飛凌的(de)Cool GaN ?是(shi)高(gao)速(su)度的率(lv)的氮(dan)化鎵結(jie)晶體(ti)管新技(ji)術操作，可在高(gao)至(zhi)600V的電(dian)阻值依據(ju)內(nei)嚴格執行(xing)熱效率(lv)轉變成。憑借著在半(ban)導體(ti)芯片行(xing)業(ye)領域(yu)市廠(chang)的豐富的體(ti)驗，英飛凌的GaN 枝術適用順利通過端到(dao)端大總量生孩子使(shi)e形式原(yuan)則非常(chang)成熟。沖破性的(de)軟件(jian)質(zhi)量保護了(le)最多條件(jian)化(hua)，并給出了(le)職業銷售市場上擁有的(de)GaN HEMT中最安全可(ke)靠、機械(xie)性能很好(hao)的解決(jue)辦法措(cuo)施(shi)。

Cypress 用(yong)Cool GaN ?開(kai)(kai)關按(an)鈕(niu)電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)源電(dian)(dian)(dian)路符(fu)合更多的能(neng)源資源熱效率(lv)和(he)熱效率(lv)強度，這才是要(yao)先進的硅集成電(dian)(dian)(dian)路芯片沒(mei)辦法完畢的。在200-250khz上面的高頻(pin)率(lv)進行中，電(dian)(dian)(dian)源開(kai)(kai)關車(che)速是決定電(dian)(dian)(dian)力能(neng)源傳送機制的重要(yao)的。英飛凌Cool GaN ?超快(kuai)的開(kai)關按鈕加(jia)速度(du)都可以成功完成非常短(duan)的超負荷時(shi)光。其(qi)預(yu)測應用周期不在15年，設配故章率少于1，消費者必玩(wan)信認其(qi)安會是真的嗎性和食品(pin)質量(liang)。

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現在，立維創展擁用Cypress名牌，外盤(pan)倉(cang)庫

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