推送時段:2022-02-08 17:14:25 訪問 :1613
Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF(最小值),最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管,特別適合平衡LNA設計。
最主要的特征
非常低的低頻噪音指數——低至0.15dBNF(最窄值)
作為裸片或打包封裝的形式
應用業務領域
通信網絡移動基站
中國國防通信技術
雙向(PtP)無線數字電
河南市立維創展科技亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区是QORVO的經銷處商,最主要出示QORVO輸出功率調小器, IC和裸單片機芯片,立維創展具備固定的產生渠道管理,價格資源優勢,并許多配備現貨交易交易量,歡迎語了解和咨詢。
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Part # | Frequency Min | Frequency Max | Type | Gain | OP1dB | Psat | NF | PAE | Vd | Idq |
QPD2018D | DC | 20,000 | 14 | 22 | 22 | 1 | 55 | 8 | 29 | |
QPD2025D | DC | 20,000 | 14 | 24 | 24 | 0.9 | 58 | 8 | 40 | |
QPD2040D | DC | 20,000 | 13 | 26 | 26 | 1.1 | 55 | 8 | 65 | |
QPD2060D | DC | 20,000 | 12 | 28 | 28 | 1.4 | 55 | 8 | 97 | |
QPD2080D | DC | 20,000 | 11.5 | 29.5 | 29.5 | 1 | 56 | 8 | 130 | |
QPD2120D | DC | 20,000 | 11 | 31 | 31 | 1 | 57 | 8 | 194 | |
QPD2160D | DC | 20,000 | 10.4 | 32.5 | 32.5 | 1 | 63 | 8 | 258 | |
TQP3M6005 | 1,700 | 2,000 | 17.9 | 21.6 | 0.36 | 4.5 | 50 |