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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提(ti)供多種多樣的分立晶(jing)體管(guan)組件。QORVO分立晶(jing)體管(guan)GAAS PHEMT接(jie)受用戶在設(she)計低噪聲放大器(qi)(LNA)電源電路時完全(quan)控制。各(ge)類分立FET提供(gong)(gong)低至0.15dB的(de)NF（最(zui)小值），最(zui)高可采用22GHz。還提供(gong)(gong)匹配(pei)晶(jing)體(ti)管，特別適合平衡LNA設(she)計。

主要優勢

低(di)好環境噪(zao)聲因子——低(di)至0.15dBNF（最(zui)短值(zhi)）

能(neng)提(ti)供(gong)裸片或封(feng)口形態

應用行業

通信網通信信號塔

中國軍事移動通訊

直連(PtP)無線數字(zi)電(dian)

成都市立維(wei)創展科(ke)技開發是QORVO的代理(li)商商，一(yi)般(ban)提(ti)供(gong)數據QORVO功效調小器，  ; IC和裸單片機芯片，立維(wei)創展具備穩(wen)定的的提(ti)供(gong)平(ping)臺，收費特色，并多常備現貨交(jiao)易存貨，歡迎詞聯(lian)系(xi)。

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