亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

UMS公分波內部管理搭配GAN最大功率氯化鈉晶體管

發布信息的時間:2022-04-13 16:54:30     打開網頁:964

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS公厘波給出應用場景ASIC或列表企業產品的全領域價格,一般依托于公司的組織結構的III-V技術應用,并供給全角度的簽訂合同服務的,使雇主可以直接性建立聯系本身的貨品很好運輸方案格式。UMS豪米波的整個列表食品從DC到100GHz都來源于GaAs、Gan和SiGe高技術,涵蓋可高達200W的額定功率變小器、混合式移動信號設計、超高低頻噪音變小器和完善的發送器設計。UMS商品以黑色防靜電鑷子的結構能提供,但常以多電子器件控制器的結構封裝。

長沙市立維創展科技發展有限的機構是UMS的地區總經銷商,專注為wlan通信網絡工程建設、核工業基站設備、國防科技、各類汽車、ism等市場供給高能信性rf射頻微波射頻直徑波模塊化電源電路芯片及模塊化電源電路。UMS的產品選取QFN和合金模具木箱,交期期短,市場價特色獨具特色。大家為其他機型保證高的質量量的UMS的產品銷量。感謝網絡咨詢。

祥情知道UMS請點://takasago.net.cn/brand/36.html

UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


推見手游資訊
  • 關于THUNDERLINE-Z產品申明
    關于THUNDERLINE-Z產品申明 2020-10-14 15:54:05 鄭州市立維創展自動化有限制新公司,是芬蘭THUNDERLINE-Z & Fusite國產品牌在國家的商標授權黑平臺商,其合金有機玻璃封好接線鼻子,已很廣軟件于航天科技、日本軍事、通信技術等高耐用性這個領域。
  • CMD283C3超低噪聲MMIC放大器現貨庫存
    CMD283C3超低噪聲MMIC放大器現貨庫存 2025-08-22 16:41:29 Custom MMIC(現屬 Qorvo)的 CMD283C3 超底燥聲 MMIC 調大器主要包括 3x3 mm 無引線陶瓷廠家 QFN 裝封,速率規模 2 - 6 GHz,具備著高增益值、低燥聲、低顯卡功耗等優點,常使用 S/C 中波段多教育領域。