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發布新聞事(shi)件(jian):2022-06-15 16:38:22 瀏覽器:1385
氮化鎵(GaN)公率半導體科技科技選用為增進rf射頻/微波加熱電率變大器效能進行了巨大的貢獻率。回收利用變少元功率元件的附生功率元件,所用更短的柵極長寬和更強的電流頻率,GaN晶狀體管實現了極高的效果功效、更寬的上行帶寬和速度快的直流電電rf射頻效應。
跟(gen)隨著以GaN材質原料為代表著的最(zui)后(hou)代半導電子元(yuan)件(jian)的開(kai)發,GaN HEMT這是由于其寬頻寬隙而很受觀注,高熱傳導性、高損壞場強和高閥值手機轉出頻率。特征提取GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
東莞 市(shi)立維創展科技發展是Teledyne防(fang)(fang)務(wu)智能(neng)的代理商(shang)商(shang),出示Teledyne防(fang)(fang)務(wu)電(dian)子貨品(pin)(pin)涉(she)及到LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防(fang)(fang)務(wu)電(dian)子器件產品(pin)(pin)設備線認可寬頻段、窄帶、脈沖(chong)造成的放縮器,頻率(lv)1MHz~220GHz,瓦數mW~10kW,勝機(ji)業務(wu)出示Teledyne防(fang)(fang)務(wu)手機(ji)備貨,喜愛諮詢。
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Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |