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正式(shi)發(fa)布(bu)時期:2022-07-14 16:41:47 瀏覽器(qi):904
CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證(zheng)更高功率密度和(he)更寬的帶寬。C波段(duan)GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE選用分布(bu)式(shi)(行波)放大器設計方法(fa);能夠(gou)在(zai)極小(xiao)的(de)空間內完成極寬(kuan)的(de)帶寬(kuan)。保證裸(luo)片(pian)和具有銅鎢熱管散熱器的(de)旋入式(shi)封裝形式(shi)。
CREE的C中(zhong)波段GaN MMIC電功率擴大(da)器CMPA0060002符合2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC輸出放縮(suo)器(qi)。

的特征
17dB小(xiao)電磁波(bo)增加收益(yi)值
3W典型PSAT
穩定(ding)輸出功率達到了28V
高電壓值穿透
溫度高度工作
應該用
超高帶放小器
互(hu)聯網光釬驅動下(xia)載器
測試圖片儀器
EMC圖像(xiang)電壓放大器伺服(fu)驅動器器
CREE(科(ke)(ke)銳)注冊成(cheng)立(li)于1987年,CREE科(ke)(ke)銳擁有30豐富(fu)的移動寬帶GAP鋼筋取樣料和全(quan)新好產品(pin),CREE科(ke)(ke)銳就是一(yi)個完(wan)好的設(she)計方案達成(cheng)合(he)作好朋(peng)友,完(wan)全(quan)符合(he)微波射頻(pin)的所需,CREE科(ke)(ke)銳為行在業(ye)內技(ji)藝領先于的儀器設(she)施設(she)備能提供更強的工作功率和更低的職能耗損。CREE科(ke)(ke)銳由最開啟的GaN材料LED護膚品(pin)技(ji)巧一(yi)流(liu)全(quan)這個世(shi)界,到(dao)微波rf射頻(pin)rf射頻(pin)與分(fen)米(mi)波基帶芯片護膚品(pin),CREE科(ke)(ke)銳于2017年轉移出(chu)微波通(tong)信rf射頻(pin)國產品(pin)牌Wolfspeed,以帶寬、大耗油率變大器品(pin)牌為自己的特色。
成都市立維創展社(she)會是(shi)CREE的(de)生產商(shang)商(shang),擁有的(de)CREE紅外(wai)光電子元器件好處購貨(huo)產品(pin)線(xian),并不斷貨(huo)源期貨(huo),僅(jin)作我們市廠標準。
祥情要了解CREE頻射紅外光請選擇://m.www.takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA0060002F1 | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | 25% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002D | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 30% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA0060002F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 23% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA0060002F1-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |