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CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
表現
17dB基本特征。10GHz時的小電磁波增益值值
60%經典值。10GHz時的PAE
6W其最典型的Psat
40伏把控
高至18GHz的超控
應用軟件
網絡通信衛星網絡通信
PTP通訊網絡進行連接
區域雷達探測
帆船汽車雷達
港口國際船舶公路交通服務
光纖寬帶放小器
高效能率圖像運放電路
CREE(科銳)注冊于1987年,CREE科銳應具30豐富的移動寬帶GAP鋼筋取樣料和全新類產品,CREE科銳一個完整版的設定公司合作摯友,適用微波射頻的市場需求,CREE科銳為行在業內技術工藝智領的絲機機 給予更強的馬力和更低的工作損耗量。CREE科銳由最進行的GaN基本材料LED貨品技術水平生活領先全生活,到微波通信頻射與亳米波集成ic貨品,CREE科銳于2017年隔離出微波加熱頻射廠家Wolfspeed,以移動寬帶、大效率調小器貨品為地方特色。
長沙市立維創展科技亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区是CREE的批發商商,持有CREE微波射頻元器件優質訂貨公司,并暫時庫存量期貨,以期國內銷售市場市場需求。
具體詳情分析CREErf射頻徽波請打開://takasago.net.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |