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C頻譜CGHV1J006D-GP4 GaN HEMTIC芯片CREE

推出時:2022-07-20 16:36:43     預覽(lan):889

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻(pin)率(lv)高效率(lv)的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適(shi)合在(zai)40V和高擊穿電(dian)壓(ya)下作業在(zai)10MHz至18GHz的各種技(ji)術應(ying)用。

本質特征

17dB典例。10GHz時的小無線信號增益控制(zhi)值

60%具代表性值。10GHz時的PAE

6W典型的Psat

40伏控制(zhi)

高至18GHz的(de)控制

用途

通信衛星通信設備

PTP移動通訊接

島嶼統計

快艇聲納

港灣船(chuan)只交通出(chu)行售后服務

移動寬帶增加器

快速率縮放器

CREE.png

CREE(科(ke)銳)解散(san)于1987年,CREE科(ke)銳具有(you)30常年的(de)移(yi)動寬帶GAP原料料和創新發(fa)展(zhan)食品(pin)(pin)(pin),CREE科(ke)銳就是一(yi)個完全(quan)的(de)結構設(she)計合作協議好朋友,具有(you)rf射(she)頻(pin)的(de)實際(ji)需(xu)求(qiu),CREE科(ke)銳為(wei)(wei)行在業內(nei)技術領先地位的(de)機(ji)械生產(chan)(chan)設(she)備生產(chan)(chan)設(she)備帶來(lai)了更強的(de)耗油率和更低的(de)功(gong)能性損失。CREE科(ke)銳由最(zui)著手的(de)GaN基面材料LED企業產(chan)(chan)品(pin)(pin)(pin)的(de)技術應用進取全(quan)時代,到微波(bo)(bo)微波(bo)(bo)射(she)頻(pin)微波(bo)(bo)射(she)頻(pin)與mm毫米波(bo)(bo)集(ji)成(cheng)ic企業產(chan)(chan)品(pin)(pin)(pin)的(de),CREE科(ke)銳于2017年脫離(li)出(chu)微波(bo)(bo)rf射(she)頻(pin)rf射(she)頻(pin)加(jia)盟品(pin)(pin)(pin)牌(pai)Wolfspeed,以光纖寬帶、大(da)電機(ji)功(gong)率變成(cheng)器(qi)類(lei)產(chan)(chan)品(pin)(pin)(pin)為(wei)(wei)標志性。

廣州市立維(wei)創展科枝是CREE的供(gong)應商商,占有CREE微波射(she)頻元器件(jian)封裝好(hao)處采購產品線,并經常性存(cun)貨現貨平臺,以便(bian)華人的市場消費(fei)需求。

內容介紹CREErf射頻微波射頻請點選://m.www.takasago.net.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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