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C光波CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT集成icCREE

更新時候:2022-07-20 16:36:43     打開網頁:889

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

表現

17dB基本特征。10GHz時的小電磁波增益值值

60%經典值。10GHz時的PAE

6W其最典型的Psat

40伏把控

高至18GHz的超控

應用軟件

網絡通信衛星網絡通信

PTP通訊網絡進行連接

區域雷達探測

帆船汽車雷達

港口國際船舶公路交通服務

光纖寬帶放小器

高效能率圖像運放電路

CREE.png

CREE(科銳)注冊于1987年,CREE科銳應具30豐富的移動寬帶GAP鋼筋取樣料和全新類產品,CREE科銳一個完整版的設定公司合作摯友,適用微波射頻的市場需求,CREE科銳為行在業內技術工藝智領的絲機機 給予更強的馬力和更低的工作損耗量。CREE科銳由最進行的GaN基本材料LED貨品技術水平生活領先全生活,到微波通信頻射與亳米波集成ic貨品,CREE科銳于2017年隔離出微波加熱頻射廠家Wolfspeed,以移動寬帶、大效率調小器貨品為地方特色。

長沙市立維創展科技亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区是CREE的批發商商,持有CREE微波射頻元器件優質訂貨公司,并暫時庫存量期貨,以期國內銷售市場市場需求。

具體詳情分析CREErf射頻徽波請打開://takasago.net.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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