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C波長氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

推出期(qi)限(xian):2022-08-10 17:04:39     看(kan):976

Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提(ti)供更高的(de)功率(lv)因素和更寬的(de)帶寬。

顯著特點

15W一般PSAT

28伏(fu)超控

高損壞場強

高溫控制電腦

自由(you)高達8GHz的控制

工作工作效率高

應該用

2路每(mei)個人cd機(ji)

寬帶網絡縮放器

蜂窩基(ji)本知識建設規劃

檢驗主設備

ClassA;AB;主要(yao)是使用(yong)于(yu)OFDM的(de)直線放縮器;W-CDMA;邊(bian)沿(yan);CDMA波型

CREE(科(ke)銳(rui)(rui))成為于1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)有30年的(de)(de)(de)(de)網絡帶寬GAP鋼筋取樣(yang)料和(he)創(chuang)新發展(zhan)軟件,CREE科(ke)銳(rui)(rui)不是個全(quan)面的(de)(de)(de)(de)結構設(she)(she)計協作(zuo)(zuo)(zuo)朋友,符合要(yao)求頻(pin)(pin)(pin)射(she)(she)的(de)(de)(de)(de)需要(yao),CREE科(ke)銳(rui)(rui)為行在業內的(de)(de)(de)(de)技術前(qian)沿的(de)(de)(de)(de)機氣主設(she)(she)備作(zuo)(zuo)(zuo)為更(geng)強的(de)(de)(de)(de)電(dian)功率(lv)(lv)和(he)更(geng)低的(de)(de)(de)(de)工作(zuo)(zuo)(zuo)損耗率(lv)(lv)。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由(you)最開使的(de)(de)(de)(de)GaN材料的(de)(de)(de)(de)特性(xing)LED商品技術設(she)(she)備技術領先全(quan)市場,到微波(bo)頻(pin)(pin)(pin)射(she)(she)頻(pin)(pin)(pin)射(she)(she)與mm毫米波(bo)單片(pian)機芯片(pian)商品,CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年隔離出微波(bo)加熱rf射(she)(she)頻(pin)(pin)(pin)項目Wolfspeed,以寬帶網、大工作(zuo)(zuo)(zuo)功率(lv)(lv)增加器新產(chan)品為優勢。

北京市(shi)市(shi)立維創展科(ke)技創新是CREE的生產商(shang)商(shang),獲得CREE紅外光元器件封裝(zhuang)主要(yao)優勢訂貨(huo)途徑(jing),并長期(qi)(qi)性貨(huo)存外盤,以期(qi)(qi)我們市(shi)面供給。

詳細情況認知CREE頻射微波加熱請打開://m.www.takasago.net.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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