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C頻譜氮化鎵 HEMT拖動器CGHV1F025 CREE

上線的時間:2022-08-17 16:53:17     瀏覽網頁:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S贏利在40伏公路道岔上,裝封在3mmx4mm;表面層配置;雙扁圓無接地線(DFN)裝封。才能減少了工作功率;CGHV1F025都可以從40V至20VVDD電流值下行駛;實現高收獲和高效益率。

有特點

多達15GHz的控制電腦

25W其最典型的所在工率

9.4GHz時11dB增加收益值

8.9–9.6GHz的技藝適用電路板

利用

L;S;C;X 和Ku中波段放小器

CREE(科銳)建立于1987年,CREE科銳應具30這么多年的帶寬GAP鋼筋取樣料和科技創新物品,CREE科銳是一個個系統的設計制作配合朋友,貼合微波射頻的要求,CREE科銳為行在業內技術工藝最前沿的機氣機械設備給予更強的工作功率和更低的系統耗率。CREE科銳由最慢慢的GaN板材LED好商品技巧領先地位全時代,到微波加熱rf射頻與亳米波單片機芯片好商品,CREE科銳于2017年分割出徽波頻射高端品牌Wolfspeed,以光纖寬帶、大效率變大器好產品為蘇州特色。

廣州市立維創展科學技術是CREE的代理商商,享用CREE微波加熱功率器件優劣勢供貨期分銷渠道,并經常性庫存積壓現貨交易,以防在我國市面 標準。

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 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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