發布消息時期:2022-09-15 16:45:15 打開網頁:956
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化鎵為質粒載體(GaN)單晶體管極具較高光學轉入率(HEMT)單支微波射頻模塊化用電線路(MMIC),長期處在炭化硅襯底上;利用0.25-μm柵極段長度的系統生產技術。與硅想必較,SiC上的GaN功能更強;GaAs或GaNonSi;富含比較高的電壓擊穿場強、比較高的飽滿光學漂移進程與比較高的熱傳導數值。與Si比起較,GaNHEMT還展示 了挺高的額定功率溶解度和更寬的頻段長寬;GaAs;和GaNonSi尖晶石管。CMPA601C025無功電功率搭配縮放器的構思思緒也可以實現目標至關寬的頻帶大小大小。
癥狀
34dB小數據信號增益控制值
40W類型PSAT
電流電壓高達hg28V
高擊穿電壓場強
應用領域
要素增加器
判斷的設備縮放器
聯通寬帶變小器
雷達天線增加器
CREE(科銳)建成于1987年,CREE科銳配備30年的網絡帶寬GAP原料料和什么是創新成品,CREE科銳是一種個完整篇的構思加盟粉絲,完全符合頻射的意愿,CREE科銳為行業內人士能力進取的系統裝備給予更強的輸出和更低的功能性不足。CREE科銳由最始于的GaN基本材料LED物品科技技術領先全的世界,到徽波頻射與mm毫米波集成ic物品,CREE科銳于2017年分離處理出紅外光rf射頻知名品牌Wolfspeed,以光纖寬帶、大工作電壓變成器品牌為獨特的。
北京市立維創展新材料技術是CREE的供應商商,具有CREE徽波功率器件資源優勢訂貨校園營銷渠道,并長期的庫存商品外盤,以便我們行業需要。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA601C025D | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 32 dB | 32% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA601C025F-AMP | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 33 dB | 32% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA601C025F | GaN on SiC | 6 GHz | 12 GHz | 25 W | 33 dB | 32% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |