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CG2H40035 Ck線rf射頻工率GaN HEMT CREE

發布公告耗時:2022-10-10 16:47:10     瀏覽器:875

Wolfspeed的CG2H40035是無可挑剔的;氮化鎵(GaN)高智能遷址率多晶體管(HEMT)。CG2H40035選擇在28伏的單軌中;供給尋常用途領域;不同微波射頻微波射頻射頻微波射頻射頻和微波射頻微波射頻射頻用途光纖寬帶應對設計。CG2H40035科學規范率;高增益值和寬帶網絡性能方面使CG2H40035為線狀和減少電功率縮放控制電路的合適選定 。CG2H40035晶狀體管最主要有每種緊固連接主要形式;法蘭部打包封裝及氬弧焊;藥丸式芯片封裝。

特性

傷害輸出阻抗到達6GHz

40W主要PSAT

PSAT生產率為64%

3.5GHz時14dB小預警增加收益值

28V調節

應運

雙軌專用型錄音機

寬帶網絡放縮器

蜂窩根本配制的建設

測試生產設備

ClassA;AB;主要中用OFDM的線性圖像功率放大器;W-CDMA;EDGE(邊部);CDMA波型

CREE(科銳)籌建于1987年,CREE科銳具備著30這些年的帶寬GAP原文件料和科技創新貨品,CREE科銳就是個完整的的制定媒體合作同伴,非常符合微波射頻的標準,CREE科銳為行同行業技術應用先進的機械主設備供應更強的效率和更低的用途耗率。CREE科銳由最逐漸開始的GaN基面材料LED食品技術工藝領跑全游戲,到紅外光頻射與厘米波集成電路芯片食品,CREE科銳于2017年隔離出微波通信rf射頻品牌形象Wolfspeed,以帶寬、大電功率調小器服務為的特色。

西安市立維創展現代科技是CREE的代理商商,擁用CREE徽波電子器件優缺點供貨校園推廣渠道校園推廣渠道,并常期貨源外盤,僅作國行業供需。

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CG2H40035.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H40035F-AMP1

GaN on SiC

0.5 GHz

3 GHz

35 W

14 dB

50%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H40035P

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CG2H40035F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

64%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H40035F

GaN on SiC

DC

6 GHz

35 W

14 dB

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Packaged Discrete Transistor

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