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?CG2H80120D C頻譜GaN HEMT 集成塊CREE

更新時:2022-11-16 16:53:01     瀏覽訪問:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高光學轉入率尖晶石管(HEMT)。與硅或砷化鎵不同之處較,GaN要具備可選越的耐磨性;CG2H80120D是指較高電壓擊穿場強;較高飽合微電子漂移帶寬;和較高熱導率。與Si和GaAs晶狀體管不同之處較,CG2H80120D應有比較高功效體積和更寬的上行速率。

特證

120W徑典PSAT

28伏操作

高擊穿電壓場強

氣溫度遠程操作

高至8GHz的控住

吸收率高率

應用領域

2路專門用無線網無線通信網絡

寬帶網絡增加器

蜂窩基本設備網站建設

公測機器

ClassA;AB;首要使用于OFDM的線形圖像運放電路;無線網絡頻分多址;外緣;CDMA正弦波形

CREE(科銳)公司設立于1987年,CREE科銳具備30很多年的帶寬GAP原料料和的創新企業產品,CREE科銳不是個刪改的構思協作同伴,按照微波射頻的要,CREE科銳為行行業內技藝技術型的廣州POS機機械設備可以提供更強的工作功率和更低的用途耗損。CREE科銳由最已經開始的GaN板材LED軟件技術領跑全環境,到徽波微波射頻與mm波集成電路芯片軟件,CREE科銳于2017年分離處理出微波通信rf射頻產品Wolfspeed,以寬帶網、大電機功率拖動器產品的為優勢。

廣州市市立維創展現代科技是CREE的銷售商,獲得CREE微波射頻器材的優勢供應方法,并不斷庫存商品現貨黃金,以期國家市場具體需求。

商品詳情頁知道CREErf射頻徽波請點選://takasago.net.cn/brand/35.html

CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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