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?CGH27030 L光波熱效率變大器CREE

發布消息期限:2023-01-05 16:44:22     瀏覽網頁:785

WolfspeedCGH27030 專門為高效率設計的氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);高增益和寬帶寬性能;CGH27030 成為VHF理想化選擇;通信網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應用領域。旋緊法蘭盤可以使用CGH27030 晶體管;焊接工藝藥丸式封裝;與一個3mmx4mm;表面貼裝技術;雙平無導線(DFN)封裝。

特殊性

VHF–3.0GHz操作

30W最高值功效安全性能

>15dB小無線信號增加收益值

>28%引流管效果

利用

VHF;溝通網咯;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHzWiMAX和BWA縮放器技術應用研究方向。

CREE(科銳)創辦于1987年,CREE科銳具備305年的網絡帶寬GAP原建材料和研發好產品,CREE科銳不是個全版的規劃聯合好伙伴,遵循微波射頻的標準,CREE科銳為行在業內工藝領跑的機氣設備帶來了更強的輸出和更低的能力衰減。CREE科銳由最就開始的GaN板材LED設備科技技術領先全的世界,到微波加熱頻射與豪米波集成ic設備,CREE科銳于2017年分離出來出微波頻射頻射項目Wolfspeed,以移動寬帶、大工作功率放縮器商品為特色化。

長沙市市立維創展網絡是CREE的供應商商,占有CREE微波加熱配件優勢可言要貨渠道方式,并繼續銷量期貨,以防華人市揚需要量。

內容分析CREE頻射微波加熱請點擊事件://takasago.net.cn/brand/35.html

CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGH27030F

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

15 dB

28%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange

CGH27030P

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

15 dB

28%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGH27030F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

15 dB

28%

28 V

Evaluation Board

Flange

CGH27030S-AMP1

GaN on SiC

1.8 GHz

2.2 GHz

30 W

18 dB

33%

28 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGH27030S

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

18 dB

33%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount


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