正式發布用時:2023-03-16 16:42:49 訪問:1192
RF-LAMBDA氮化鎵晶圓通常是在外界基板(例如藍寶石)上外延生長的單晶GaN薄層層析,一般板厚小于100μm。與獨立式GaN基板相比較,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓僅是元器件生產商中的一種替代解決方案,其技術優勢受限。然而,在高容量和低成本生產制造的前提下,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓能夠在LED生產中替代藍寶石,從而提升下游MOCVD反應裝置高至50%的產能。此外,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓一般比在藍寶石上生長的MOCVD GaN具備較低的位錯密度。這對于UV元器件來說是個有利因素,因為它比藍色LED對位錯密度更加敏感。
東莞 市立維創展科技公司是RF-LAMBDA的經售商, RF-LAMBDA的軟件包涵:無源抑制控制接口,有源抑制控制接口,寬帶網絡輸出調大器,窄帶PA和帶動增加器,企業產品生育線均選擇新西蘭警用裝備的設計標淮與生育造成,越來越大具有廣泛性采取于中國航空,中國航空,警用裝備機器,衛星信號電力,雷達探測等舒適建筑工程活動。
信息熟知RF-LAMBDA請彈框:http?: //takasago.net.cn/public/brand/3.html
氮化鎵方式 | 模具行 | 基面材料孔徑 | 強度 (μm) | Marcodefect 容重 | 功率電阻率 (Ω·cm) | 料厚偏離 (±μm) | |
GT.005.02.NB2 | 氮化鎵設計 | 夾雜 (N+) | 2" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
GT.005.02.NB3 | 氮化鎵網站模板 | 摻入 (N+) | 3" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
GT.005.02.NB4 | 氮化鎵模板圖片 | 夾雜著 (N+) | 4" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
GT.005.02.SEMI.B.2 | 氮化鎵模版 | 半接地 | 2" | 5 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 0.25 |
GT.005.02.SEMI.B.3 | 氮化鎵模版 | 半隔絕 | 3" | 5 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 0.25 |
GT.005.02.SEMI.B.4 | 氮化鎵微信小程序模板 | 半隔絕 | 4" | 5 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 0.25 |
GT.005.02.UD.B.2 | 氮化鎵模板制作 | 未夾雜 (N-) | 2" | 5 | <10/cm2 | 0.5 | 0.25 |
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GT.005.10.NB2 | 氮化鎵范例 | 夾雜著 (N+) | 2" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
GT.005.10.NB3 | 氮化鎵模板圖片 | 參雜 (N+) | 3" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
GT.005.10.NB4 | 氮化鎵模板圖片 | 參雜 (N+) | 4" | 5 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 0.25 |
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GT.050.02.NB3 | 氮化鎵微信小程序模板 | 摻入 (N+) | 3" | 50 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.02.NB3 | 氮化鎵模板開發 | 添加 (N+) | 3" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
GT.100.02.NB4 | 氮化鎵模板制作 | 摻入 (N+) | 4" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.10.NB4 | 氮化鎵文檔模板 | 夾雜著 (N+) | 4" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
GT.100.10.SEMI.B.2 | 氮化鎵樣例 | 半絕緣層 | 2" | 100 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 2.50 |
GT.100.10.SEMI.B.3 | 氮化鎵摸板 | 半耐壓 | 3" | 100 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 2.50 |
GT.100.10.SEMI.B.4 | 氮化鎵摸版 | 半耐壓 | 4" | 100 | <10/cm2 | 10 9 -10 12 | 2.50 |
GT.100.10.UD.B.2 | 氮化鎵模版網站 | 未夾雜 (N-) | 2" | 100 | <10/cm2 | 0.5 | 2.50 |
GT.100.10.UD.B.3 | 氮化鎵模版 | 未夾雜 (N-) | 3" | 100 | <10/cm2 | 0.5 | 2.50 |
GT.100.10.UD.B.4 | 氮化鎵范本 | 未夾雜著 (N-) | 4" | 100 | <10/cm2 | 0.5 | 2.50 |
RFGB.CP.NB10 | 團狀氮化鎵 | 摻入 (N+) | 難受用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 5.00 |
RFGB.CP.NB18 | 小塊氮化鎵 | 參雜 (N+) | 不是用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 10.00 |
RFGB.CP.NB30 | 顆粒狀氮化鎵 | 摻入 (N+) | 沉重感用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 25.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.10 | 條狀氮化鎵 | 半隔熱 | 身體不可用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 5.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.18 | 顆粒狀氮化鎵 | 半絕緣電阻 | 不舒適用人群 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 10.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.30 | 一塊塊氮化鎵 | 半隔絕 | 不是用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 25.00 |
RFGB.CP.UD.B.10 | 顆粒狀氮化鎵 | 未摻入 (N-) | 不適應用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 5.00 |
RFGB.CP.UD.B.18 | 一塊塊氮化鎵 | 未夾雜 (N-) | 不能采用用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 10.00 |
RFGB.CP.UD.B.30 | 團狀氮化鎵 | 未添加 (N-) | 隱疼用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 25.00 |