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公布周期:2023-05-08 16:39:50 觀看:1203
CREE PTVA123501EC和PTVA123501FC LDMOS FET設計(ji)用作1200MHz至(zhi)1400MHz頻率段的功率放大(da)器技(ji)術應用。特征包括具有切(qie)槽和無耳法蘭盤(pan)的高(gao)增(zeng)益和熱(re)加強型(xing)封裝形式。PTVA12350選用Wolfspeed最先進(jin)的LDMOS工藝(yi)技(ji)術;PTVA12350提供優異的熱(re)穩(wen)定性和優異的安全可(ke)靠(kao)性。
本質特征
移動寬帶室(shi)內設置(zhi)打印輸出匹配
高增益控制和有效率
集成系(xi)統(tong)化(hua)ESD保護好
低對流傳熱公式
經久結實
無(wu)鉛并能夠滿足RoHS標準暫行規定
利用
1200至1400MHz次數段的最大功(gong)率放縮(suo)器(qi);汽車雷達測探
CREE(科(ke)銳)建立于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)銳有(you)30多年(nian)以(yi)的(de)(de)(de)(de)寬帶(dai)網絡GAP鋼筋取樣料(liao)和全新軟件,CREE科(ke)銳有(you)的(de)(de)(de)(de)是(shi)個詳盡的(de)(de)(de)(de)設(she)計的(de)(de)(de)(de)加盟伙伴們,符合要求(qiu)微波(bo)(bo)(bo)射頻的(de)(de)(de)(de)使(shi)用需(xu)求(qiu),CREE科(ke)銳為(wei)行(xing)業內人(ren)士水平領先(xian)于(yu)的(de)(de)(de)(de)系統(tong)的(de)(de)(de)(de)設(she)備展(zhan)示更(geng)強的(de)(de)(de)(de)功(gong)效和更(geng)低的(de)(de)(de)(de)功(gong)能模(mo)塊材料(liao)耗費。CREE科(ke)銳由最慢慢的(de)(de)(de)(de)GaN材料(liao)的(de)(de)(de)(de)特性LED品(pin)牌(pai)(pai)水平智領全中國,到紅外光(guang)(guang)微波(bo)(bo)(bo)射頻與亳米(mi)波(bo)(bo)(bo)電源芯片品(pin)牌(pai)(pai),CREE科(ke)銳于(yu)2017年(nian)脫離出紅外光(guang)(guang)微波(bo)(bo)(bo)射頻加盟品(pin)牌(pai)(pai)Wolfspeed,以(yi)移動寬帶(dai)、大(da)瓦數變小器新產品(pin)為(wei)特色文化(hua)。
蘇州市(shi)立維創展科技(ji)發(fa)展是CREE的分銷商商,持有CREE微波加熱(re)元件優(you)勢(shi)與劣勢(shi)交貨產品線(xian),并暫時存(cun)貨現貨黃金,以(yi)防中國(guo)大領(ling)域訴求。
信息了解CREE頻射徽波請點開://m.www.takasago.net.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA123501FC-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 350 W | 17 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
PTVA123501EC-V2 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 350 W | 17 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |