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?SemiGen肖特基電感

頒布(bu)時刻(ke)：2023-05-29 17:00:04     查詢(xun)：1056

SemiGen的硅肖特基場效應管傾力于40GHz之內的能力應運的應運各方面需求計劃書。特出加工處理的能力應運借助各方面塑料原料計劃書為低、結合高阻擋的能力應運應運展示功效優越性。終究效果是含有非常嚴格把控電感的低熱敏電阻穩壓管，可能實行最低質量。SemiGen肖特基場效應管低互動交流耗損和出眾的TSS得以使肖特基二極管想要工作上頻段從S波長到Ka光波的發現器/混頻器系統app試述解調器、低最大功率規定器和快速路度啟閉的適宜使用。

有特點：

多(duo)結外理集成ic

低1/F躁音(yin)

個(ge)人總(zong)結電解電容

技術應用：

可用(yong)以于混頻器、偵測器、倍頻器和解(jie)協議(yi)調器。

SemiGen是(shi)韓國某家晶(jing)圓級(ji)頻射(she)電(dian)子(zi)(zi)元功(gong)(gong)率(lv)器件創作型派制(zhi)造(zao)廠(chang)商(shang)，從晶(jing)圓到(dao)封口電(dian)子(zi)(zi)元功(gong)(gong)率(lv)器件, 不斷研發創新多種多樣，從航(hang)空航(hang)天級(ji)MIL-PRF 38534到(dao)軍工用MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen非常重視于作為優(you)越(yue)的(de)線質量和靠(kao)譜性。

成都 市立維(wei)創展科技十分(fen)建筑亚洲(zhou)一(yi)(yi)(yi)区(qu)二区(qu)三区(qu)在(zai)线-欧美一(yi)(yi)(yi)二区(qu)-欧美亚洲(zhou)一(yi)(yi)(yi)区(qu)-欧美激(ji)情(qing)一(yi)(yi)(yi)区(qu)十分(fen)建筑亚洲(zhou)一(yi)(yi)(yi)区(qu)二区(qu)三区(qu)在(zai)线-欧美一(yi)(yi)(yi)二区(qu)-欧美亚洲(zhou)一(yi)(yi)(yi)区(qu)-欧美激(ji)情(qing)一(yi)(yi)(yi)区(qu)，權限代(dai)理(li)加(jia)盟于國內(nei) 區域性推(tui)廣SemiGen新產品，并給(gei)出(chu)售后(hou)維(wei)修客服和(he)售后(hou)維(wei)修水平支持軟件(jian)服務于。

詳情頁知曉SemiGen請(qing)超鏈接：//m.www.takasago.net.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

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0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

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0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

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0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

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20.0

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3.0

0.400

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0.12

20.0

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3.0

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-45

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4.0

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20.0

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0.15

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20.0

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SMB207

4.0

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20.0

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SMB209

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20.0

-50

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5.0

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0.14

20.0

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20.0

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5.0

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20.0

-48

SMB215

5.0

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0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

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SHB301

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-42

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